Greška

Došlo je do greške.

SK Hynix kreirao 1Z nm 16Gb DDR4 DRAM

21.10.2019 18:33 | 0 Hardver
SK Hynix kreirao 1Z nm 16Gb DDR4 DRAM


Kompanija SK Hynix je objavila da je razvila 1Z nm 16Gb (gigabita) DDR4 (Double Data Rate 4) DRAM. Kako 16Gb predstavlja najveću industrijsku gustinu za jedan čip, ukupan kapacitet memorije po vaferu je takođe najveći za postojeći DRAM.

Produktivnost ovog proizvoda je poboljšana za 27 procenata u odnosu na prethodnu 1Y nm generaciju. Takođe, memorija ne zahteva i izuzetno skupu EUV (extreme ultraviolet) litografiju, što joj daje kompetitivnu prednost.

Novi 1Z nm DRAM podržava brzine transfera podataka do 3200 Mbps, što je najveća brzina obrade podataka za DDR4 interfejs. Kompanija je takođe značajno poboljšala efikasnost potrošnje za 40 procenata u odnosu na 1Y nm 8Gb DRAM module.

 

Povezana vest: SK Hynix otkrio DDR4-3200 Memory čipove sa četvorofaznim klokovanjem


SK Hynix planira da proširi svoj 1Z nm proces na različit spektar aplikacija, kao što je LPDDR5, naredna generacija mobilnog DRAM-a i HBM3 brzu memoriju.

Izvor: TechPowerUp

 

Benchmark možete pratiti i na društvenim mrežama | Facebook | Twitter | Instagram | YouTube |
Na Benchmark forumu uvek možete učestvovati u kvalitetnim aktuelnim diskusijama iz IT industrije

Komentari

0 Dodaj komentar

Snapdragon 865 će imati podršku za 100MP kamere i 5G

Android 10 stiže na nekoliko Sony Xperia telefona narednog meseca

10203
10205
10206
10207
10208
10209