Greška

Došlo je do greške.

Samsung počinje sa proizvodnjom V-NAND flash memorije pete generacije

10.07.2018 22:34 | 0 Hardver
Samsung počinje sa proizvodnjom V-NAND flash memorije pete generacije


Samsung je među vodećim proizvođačima merorije već godinama, a južnokorejska kompanija je sada objavila da počinje sa proizvodnjom svojih V-NAND čipova naredne generacije. Ovo je peta varijanta tehnologije, a ključna stvar kod ove verzije jeste implementacija "Toggle DDR 4.0" NAND interfejsa.

Pomenuti interfejs omogućava za 40% brži transfer podataka između skladišta i RAM-a, u poređenju sa prethodnim verzijama, uz dostizanje maksimuma od 1.4 Gbps. Zajedno sa boljim performansama, nova memorija donosi i bolju efikasnost baterije.

Peta generacija V-NAND čipova je izgrađena slično prethodnoj generaciji, ali umesto implementiranja 64 sloja, tu je 90 slojeva CTF ćelija. One su složene piramidalno, sa mikroskopskim otvorima u sredini. Ovi otvori služe kao kanali i široki su svega nekoliko stotina nanometara, a mogu da uskladište tri bita podataka.


Pogledajte još: Samsung i ARM kreiraju Cortex-A76 CPU od preko 3GHz


Ova tehnologija je dovela do značajnog poboljšanja u brzini upisa podataka, koja je za oko 30 procenata brža nego kod prethodne verzije. Takođe, odziv signala čitanja je smanjen na 50μs. Novi 256GB čipovi visokih performansi će se verovatno pojaviti na velikom broju dolazećih Samsung uređaja, uključujući i premijum telefone.

Izvor: GSMArena

 

Benchmark možete pratiti i na društvenim mrežama | Facebook | Twitter | Instagram | YouTube |

a na Benchmark forumu uvek možete učestvovati u kvalitetnim aktuelnim diskusijama iz IT industrije

 

Komentari

0 Dodaj komentar

Apple prestaje sa proizvodnjom iPhone X i SE telefona?

Facebook testira AR reklame u News Feedu

10203
10205
10206
10207
10208
10209