Greška

Došlo je do greške.

Problemi za Samsung sa čipovima sledeće generacije

19.04.2022 13:18 | 0 Mobile
Problemi za Samsung sa čipovima sledeće generacije

 

Kompanija Samsung ima sopstvenu proizvodnju mobilnih čipsetova za svoje uređaje. Već neko vreme ova kompanija radi na razvijanju novog proizvodnog procesa u 3 nanometra, ali se sada čini da je Samsung naleteo na ozbiljne probleme koji bi mogli da naškode sposobnosti ove kompanije da masovno proizvodi čipsetove u procesu od 3 nanometra.

Čitava poenta uvođenja proizvodnog proces au 3 nanometra jesu poboljšane performanse i poboljšana energetska efikasnost mobilnih čipsetova. Međutim, kako proizvodni procesi postaju sve kompleksniji tako se javljaju i nove poteškoće koje moraju da se prevaziđu kako bi se proces unapredio i kako bi se napravila stabilna osnova za masovnu proizvodnju. U ovom trenutku javljaju se navodi kako se kompanija Samsung našla u problemima koje ne uspeva da reši.

Radi se o tome da tronanometarski proizvodni proces kompanije Samsung ne daje očekivane rezultate i očekivani broj upotrebljivih čipsetova. Prema navodima korejskog portal Businesspost.kr, postrojenja kompanije Samsung ne uspevaju da reše ove aktuelne probleme.

Prvi primerci mobilnih čipsetova dobijenih kroz proizvodni proces od 3 nanometra trebalo je da se koriste u novoj seriji Exynos procesora, najverovatnije nasledniku Exynos 2200 mobilnog čipseta. Ovim potezom, kompanija Samsung želi da manje zavisi od Qualcomm-a, ali sada se čini kako bi ovi problemi mogli da smanje dostupnost novih flagship Exynost čipova za najbolje telefone kompanije Samsung.

 

Pogledajte još: Dostupni oficijelni reparirani primerci Samsung Galaxy S21 serije



Pored prelaska sa proizvodnog procesa u 4 nanometra, kompanija Samsung je i prva na svetu koje pokušava da upotrebi GAAFET (Gate all around GET) proces umesto uobičajenog FINFET dizajna. GAFET predstavlja novi dizajn za tranzistore koji se koristi u proizvodnim procesima od 3 nanometra i manjim, piše Android authority.

Setimo se da je i kompanija Intel pokušala da upotrebi GAAFET prilikom prelaska na proizvodni proces od 7 nanometara, ali je odustala od toga i odložila implementaciju GAAFET zbog sličnih problema sa kojima se sada suočava kompanija Samsung.

Sa druge strane, kompanija TSMC odlučila je da takođe ne pređe na GAAFET prilikom usvajanja proizvodnog procesa u 3 nanometra, već da sačeka sa implementacijom prilikom prelaska na proizvodni proces od 2 nanometra. A svi znamo ko je i šta je TSMC. Možda se kompanija Samsung malo preračunala.

 

Benchmark možete pratiti i na društvenim mrežama | Facebook | Twitter | Instagram | YouTube |
Na Benchmark forumu uvek možete učestvovati u kvalitetnim i aktuelnim diskusijama iz IT industrije

Android 13 donosi poboljšane gejming performanse

Sve nezvanične informacije za novi Sony Xperia 1 IV na jednom mestu

10104
10105
10106
10107
10108
10109